SQuID Sensors
多系列SQUID放大器：涵盖单级、高输入电感及SQUID阵列，满足多元探测需求。
亚微磁通级超低噪声：磁通噪声低至0.25 μΦ₀/√Hz，精准捕捉极微弱信号。
全集成超导封装：筒磁屏蔽+超导互连一体化设计，结构紧凑，安装便捷。
全温区稳定运行：0-4.2 K宽温区可靠工作，适配液氦杜瓦与绝热去磁/稀释制冷机系统。
高密度多通道集成：单芯片最高集成4通道，压缩系统体积，提升集成度。
紧凑型芯片设计：芯片尺寸2.5 mmX5.0 mm,利于高密度阵列排布。
内置磁通调控：集成加热电阻，实时消除残余磁通，动态优化器件工作点。
灵活偏置配置：多种偏置电阻可选，兼容各类TES探测器;支持共用/独立偏置双模式，灵活适配不同系统架构。
- 上一条：没有了
- 下一条：SQUID Electronics
产品详情
★ dc-SQUID 放大器主要性能参数 *
| 芯片尺寸 | 2.5 mmx5.0 mm |
| 输入焊盘尺寸 | 500 mx475 μm Nb film |
| 偏置和反馈焊盘尺寸 | 300 μmx200 μm Nb film |
| 偏置电阻R。 | 250 μΩ |
| 加热电阻 | 200 Ω |
| 工作温度 | 0~4.2 K |
| 型号 | SQB11A04 | SQE11A04 | 单位 |
| 临界电流 (2Ic) | 18 | 18 | μA |
| 电压调制幅值 | 25 | 40 | μV |
| 磁通电压转换系数 VΦ | 100 | 200 | μV/Φ₀ |
| 反馈互感 (1/Mfb) | 9 | 45 | μA/Φ₀ |
| 输入互感 (1/Min) | 9 | 9 | μA/Φ₀ |
| 调谐电感 Lt (nH) | 30 | 30 | nH |
| 磁通噪声 (μΦ₀/√Hz) (@1kHz) | 2 | 2 | μΦ₀/√Hz |
通道数量 | 1×4 | 1×4 | PCS |
| TES 偏置共用 | Y | Y | — |
★ SQUID 阵列放大器主要性能参数 *
| 参数 | 参数值 |
|---|---|
| 芯片尺寸 | 2.5 mm×5.0 mm |
| 焊盘尺寸 | 300 μm×300 μm Nb film |
| 加热电阻 | 200 Ω |
| 工作温度 | 0–4.2 K |
| 型号 | SAP16S02 | SAP64S02 | SAP16A04 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 临界电流 (2Ic) | 18 | 18 | 18 | μA |
| 电压调制幅值 | 400 | 1600 | 400 | μV |
| 磁通电压转换系数 VΦ | 1800 | 7200 | 1800 | μV/Φ₀ |
| 输入互感 (1/Min) | 26 | 26 | 10 | μA/Φ₀ |
| 反馈互感 (1/Mfb) | 36 | 36 | 36 | μA/Φ₀ |
| 阵列数量 | 16 | 64 | 16 | PCS |
| 偏置电阻 R₀ | 0.25/1.0/10/100/500 | 0.25/1.0/10/100/500 | 0.25 | mΩ |
| 磁通噪声 (μΦ₀/√Hz) (@1kHz) | 0.45 | 0.25 | 0.45 | μΦ₀/√Hz |
| 通道数量 | 2 | 2 | 1×4 | PCS |
| TES 偏置共用 | N | N | Y | — |
| 参数 | 参数值 |
|---|---|
| 芯片尺寸 | 2.5 mm×5.0 mm |
| 输入焊盘尺寸 | 600 μm×400 μm Nb film |
| 偏置和反馈焊盘尺寸 | 300 μm×200 μm Nb film |
| 加热电阻 | 200 Ω |
| 工作温度 | 0–4.2 K |
| 型号 | SQH11S02 | 单位 |
|---|---|---|
| 临界电流 (2Ic) | 18 | μA |
| 电压调制幅值 | 40 | μV |
| 磁通电压转换系数 VΦ | 200 | μV/Φ₀ |
| 反馈互感 (1/Mfb) | 55 | μA/Φ₀ |
| 输入互感 (1/Min) | 1.3 | μA/Φ₀ |
| 输入等效电感（Lin） | 100 | nH |
| 磁通噪声 (μΦ₀/√Hz) (@1kHz) | 2 | μΦ₀/√Hz |
| 通道数量 | 2 | PCS |
© 2025 赋同量子科技（浙江）有限公司 版权所有 网站备案：浙ICP备2021029559号
Top