低温SQUID放大器件

5 mm×5 mm的芯片分成 2.5 mm×5 mm两部分，左边为SQA11TES和SQB11TES设计，右边为SQE11TES 设计。每个2.5 mm×5 mm设计包括 1×4 路 dc-SQUID 电流放大器，TES 串联连接，通过“+R”和“-R”Pad 引入 TES 偏置信号。“+IN”和“-IN”Pad 用于和 TES 探测器连接，“+V”、“-V”、“+F”以及“-F”Pad 用于每一路 dc-SQUID 电流放大器偏置输出和反馈。

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产品详情

参数	数值
芯片尺寸	2.5 mm×5.0 mm
Input Pad 尺寸	500 μm×475 μm Nb film
SQUID 偏置和反馈 Pad 尺寸	300 μm×200 μm Nb film
dc-SQUID 构型	一阶梯度/二阶梯度
SQUID Loop inductance	110 pH
TES 偏置电阻	250 μΩ
加热电阻	100 Ω
工作温度	0~4.2 K
dc-SQUID 电流放大器 (T=4.2K)
器件名称	SQA11TES	SQB11TES	SQE11TES	单位
临界电流(2Ic)	18	18	18	μA
去回滞电阻(Rn/2)	2	2	2	Ω
屏蔽参数 ql	1.1	1.1	1.1
去回滞参数 qc	0.35	0.35	0.35
电压调制幅值	20	20	20
磁通电压转换系数 Vɸ	80	80	80	μV/Φ0
反馈互感(1/Mf)	9	8.5	45	μA/Φ0
输入互感(1/Min )	9	8.5	9.5	μA/Φ0
调谐电感(nH)	30	30	30	nH
磁通噪声(Φ0\√Hz) (@1kHz)	2	2	2	μΦ0\√Hz

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