产品详情
| 推荐激励 | 10μA±0.01μA |
| 最大反向电压 | 70V |
| 损毁最大电流 | 连续1mA或脉冲100mA |
| 10μA激励下功耗 | 16μW@4.2K；10μW@77K；5μW@300K |
| SD封装响应时间 | 10ms@4.2K；100ms@77K；200ms@305K |
| 重复性 | ±15mK@77K |
| 磁场影响 | 仅50K低温下推荐可使用在磁场中，温度计安装面 |
| 辐射影响 | 仅推荐在低等级的辐射中使用 |
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| 推荐激励 | 10μA±0.01μA |
| 最大反向电压 | 70V |
| 损毁最大电流 | 连续1mA或脉冲100mA |
| 10μA激励下功耗 | 16μW@4.2K；10μW@77K；5μW@300K |
| SD封装响应时间 | 10ms@4.2K；100ms@77K；200ms@305K |
| 重复性 | ±15mK@77K |
| 磁场影响 | 仅50K低温下推荐可使用在磁场中，温度计安装面 |
| 辐射影响 | 仅推荐在低等级的辐射中使用 |